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Gracias a un diseño compacto que se puede utilizar fácilmente en un escritorio o montado en la pared
Xiaomi Mi 12/Mi 11/Mi 10
Protección contra sobretensiones: Pico de 6 kV según IEC 61010-1 600 VCAT III
Tornillería grado máquina y/o inoxidable
Kiosco de autoservicio
Memoria USB Dual impulsado por SSD Core / 256 GB / USB-C y USB-A / 560 MB/s de Escritura 175061 Gracias a un diseño compactoEspecificaciones Caractersticas Principales: Interfaz USB 3. 2 Gen2 Type C Capacidades de almacenamiento de 1 TB Velocidades de lectura escritura de 530 MB s y 450 MB s Diseo compacto y duradero con cuerpo de metal y peso ligero Temperatura operativa de 5 a 35 C Quin es HIKSEMI? Unidades de Estado Slido Unidad de estado slido porttil SWIFT Dual Mini Diseo compacto, velocidad potente Soporte de funcin OTG Las nuevas memorias USB con chip de SSD y
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